LED燈珠線路_led燈珠線路排列是怎樣的

LED燈珠線路_led燈珠線路排列是怎樣的

led燈珠照明技能線路涉及外延、基板、封裝、白光led燈珠的種類等多方面。紅色、綠色、藍(lán)色led燈珠、磷、砷、氮等III？V族從化合物、例如砷化鎵（GaAs、磷化鎵（GaP、磷砷化鎵（（GaAsp）、以及氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體系統(tǒng)例示。

一、led燈珠外延led燈珠的價(jià)格技能近十年來，業(yè)界經(jīng)過外延生長過程的改良上位錯(cuò)密度得到了很年夜的改良。但是，主流的白光照明用藍(lán)色光led燈珠的氮化鎵GaN和基板間格子以及熱膨脹系數(shù)的不匹配仍然帶來高位錯(cuò)密度。以往，通過過程研究led燈珠外延技術(shù)將缺陷密度抑制到最小限度，提高結(jié)晶質(zhì)量是led燈珠技術(shù)的要求。led燈珠的外延片是led燈珠的焦點(diǎn)部，led燈珠的波長、正向電壓、亮度或發(fā)光量等光電參數(shù)基本上依賴于外延片質(zhì)量。外延技能及裝備是外延片制造技能的要害，金屬有機(jī)物氣相沉積技能MOCVD成長III-led燈珠規(guī)格大年夜全V族、II-VI族以及合金薄層單晶的重要要領(lǐng)。外延片的位錯(cuò)作為非輻射復(fù)合中心對元件的光馬達(dá)能量有很大的影響。

led燈珠外延配置及外延技能研究：

①led燈珠通常的成長技能收容多個(gè)子阱宿世長低In成分的InGaN預(yù)阱開釋應(yīng)力，填充載流子“蓄電池”，為了提高屏障的結(jié)晶質(zhì)量，使GaN屏障層進(jìn)一步升溫成長，使網(wǎng)格匹配的InGaAlN屏障層或成長應(yīng)力互補(bǔ)的InGaN/AlGaN排列等成長。量子阱有源區(qū)InGaN/GaN量子阱活動區(qū)域是led燈珠外延材料的焦點(diǎn)，成長InGaN量子阱的要點(diǎn)是控制量子阱的應(yīng)力，減少極化效果的影響。

②經(jīng)過長年的成長，led燈珠的外延層布局以及外延技能已經(jīng)比較成熟，led燈珠中量子效率達(dá)到90%以上，紅色led燈珠中量子效率接近100%。但是，在年夜電力led燈珠的研究中，發(fā)明的年夜電流注入下的量子效率下降顯著，被稱為Droop效果。GaN基led燈珠的Droop效果的原因是，由于比力而偏向于載波的局部化、來自活性區(qū)域的泄漏或溢出以及俄歇復(fù)合。試驗(yàn)發(fā)明即使接受寬量子阱來降低載波密度，優(yōu)化p型區(qū)域的電子截止層Droop，也能夠緩和效果。

led燈珠外延布局及外延技能研究中的其他詳細(xì)技能如下。

①外貌粗化技能led燈珠外延外貌粗化是因?yàn)橥庋硬牧系恼凵渎逝c封裝質(zhì)量材料不同，為了防止部門出射光被外延層反射，適合改變出射角度的全反射超調(diào)防止光率。過程中，對外延外貌進(jìn)行直接處理懲罰，容易損傷外延活性層，難以構(gòu)建透明電極，通過過程轉(zhuǎn)換外延層的生長前提，可達(dá)到外貌粗糙化。

②基板剝離技能led燈珠藍(lán)寶石基板激光剝離技能GaN同質(zhì)外延基于剝離生長技能，將紫外線激光照射到基板上，熔解過渡層并剝離，2003年OSRAM在該工序中剝離藍(lán)寶石，將出光率提高到75%，是以往的3倍，作為生產(chǎn)線形成。

③led燈珠根據(jù)觸發(fā)器技術(shù)美國Lumileds公司的數(shù)據(jù)，藍(lán)寶石基板的led燈珠增加了約光率1.6倍。

④led燈珠全方位反射膜在外延層內(nèi)盡可能地全反射出射正面以外的表面的出射光，最終升格為從正面出射光率。

⑤led燈珠二維光子晶體的微布局能夠提高超越光的效率，2003年9月日本松下電器建造了直徑1.5微米、高度0.5微米的低光子晶體的led燈珠，使光率提高了60%。

二、基板技能led燈珠經(jīng)常使用的芯片基板技能線路藍(lán)寶石基板、碳化硅基板、硅基板的三年夜類重要，有正在開發(fā)中的氮化鎵、氧化鋅等。

對基板材料提出要求：

①led燈珠基板和外延膜層的化學(xué)不變性一致，基板材料具有良好的化學(xué)不變性，難以在外延生長的溫度和氣氛中分化和腐化，在不產(chǎn)生外延膜的妊娠和化學(xué)反應(yīng)的情況下降低外延膜的質(zhì)量。②led燈珠基板與外延膜層的熱膨脹系數(shù)一致，熱膨脹系數(shù)超過了年夜差，降低了外延膜的生長質(zhì)量，在裝置的動作過程中，有可能由于發(fā)熱而導(dǎo)致裝置的破壞。

③led燈珠基板與外延膜層的布局一致，若兩者的質(zhì)量材料的晶體布局不同或不鄰接，則晶格常數(shù)的失配小，結(jié)晶功能好，缺陷密度低。

我國led燈珠硅基板技能今天早上患上了技能突破，致力于年夜范圍的財(cái)產(chǎn)化運(yùn)用。目前，商品化GaN基led燈珠中年夜量使用的基板只有藍(lán)寶石和碳化硅基板?？梢杂糜谄渌鸊aN基led燈珠的襯底等離子體具有與財(cái)產(chǎn)化不同的間隔GaN同質(zhì)基片和ZnO基片。